Данное устройство широко применяется в производстве солнечных батарей и
полупроводников. Оно может раскраивать, производить сложноконтурную резку и вырезать пазы на поверхности монокристаллического и поликристаллического кремния, поликремния, германия, арсенида галлия и других неметаллических материалов. Данная технология не повреждает обратную сторону кремниевой пластины, в результате чего, значительно улучшается эффективность производства;
Модель |
HANS1200S |
Длина волны |
1064 нм |
Мощность лазера |
50 Вт |
Частота следования импульсов |
10-80 кГц |
Мин. размер лазерного пятна |
0.02 мм |
Ширина реза |
0.04 мм |
Глубина реза |
60-85% толщины пластины |
Охлаждение |
Воздушное |
Время непрерывной работы |
≥24 часа |